شبیه سازی رشد لایه های نازک تحت زاویه مایل به روش مونت کارلو
thesis
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه الزهراء - دانشکده علوم پایه
- author صبا خدیویان آذر
- adviser رضا ثابت داریانی
- Number of pages: First 15 pages
- publication year 1390
abstract
این مدل شبیه سازی از روش رو نشست با زاویه مایل و گام های تصادفی مونت کارلو استفاده شده است. مدل بکار رفته رشد، رشد بالستیک bd می باشد. شار ذرات فرودی تحت زاویه ای مشخص نسبت به نرمال سطح به سمت زیرلایه فرود می آیند. دو عامل فیزیکی الف) سایه اندازی و ب) محدودیت در تحرک پذیری ذرات فرودی باعث گردیده ساختارهای حاصل از این روش بصورت ستون های مجزا با اشکال مختلف که با فضاهای خالی از هم جدا شده اند، در جهت فرود ذرات رشد یابند. برهمکنش بین ذرات ، پتانسیل لنارد- جونز در نظر گرفته شده است. برنامه شبیه سازی ما به زبان فرترن 90 نوشته شده است. مدل شبیه سازی، شامل شبکه مکعبی با شرایط مرزی تناوبی است. در ادامه مرحله هسته بندی را به صورت سه بعدی شبیه سازی کردیم و ساختار شبکه بلوری را به fcc تغییر دادیم. با بهبود بخشیدن پتانسیل ذره فرضی مس را در نظر گرفته و برخی پارامترها از جمله تراکم بسته بندی، زاویه ستون ها، مورفولوژی ساختار، چگالی و ناهمواری سطح را بررسی نمودیم.
similar resources
شبیه سازی رشد ساختارهای ستونی مس تحت رونشست زاویه مایل و گامهای تصادفی مونت کارلو
In this simulation model, oblique angle deposition method and Monte Carlo random walks have been used. Growth model was ballistic deposition (BD). Incident particles flux comes to substrate at an angle with respect to normal. Two physical factors including self-shadowing and mobility limitation of incident particles make structures similar to independent columns with different shapes and separa...
full textشبیه سازی رشد ساختارهای ستونی مس تحت رونشست زاویه مایل و گام های تصادفی مونت کارلو
در این مدل شبیه سازی از روش رو نشست با زاویه مایل و گام های تصادفی مونت کارلو استفاده شده است. مدل به کار رفته رشد، رونشست بالستیک (bd) می باشد. شار ذرات فرودی تحت زاویه ای نسبت به عمود بر سطح به سمت زیرلایه فرود می آیند. دو عامل فیزیکی خود سایه اندازی و محدودیت در تحرک پذیری ذرات فرودی باعث می شود که ساختارهای حاصل از این روش به صورت ستون های مجزا با اشکال مختلف، که با فضاهای خالی از هم جدا شد...
full textشبیه سازی رشد لایه های نازک اکسید روی به روش مونت کارلو
رشد برآراسته لایه های نازک یکی از مهمترین تکنیک های تولید ابزارهای الکترونیکی و اپتیکی است. در لایه های برآراسته ی هم خانواده وجود نقص در ساختار، موجب ایجاد کرنش در لایه ها می شود و تغییر شکل نانو ساختارها شدیدا به ساختار ریز آنها مانند نقایص، مرزدانه ها و سطح وابسته است. شبیه سازی کامپیوتری یک راه مناسب برای درک رفتار مواد در مقیاس اتمی است. اکسید روی یکی از مهمترین مواد در صنعت نیمرساناست که...
15 صفحه اولشبیه سازی رشد حجمی نانوساختارها با شبکه الماسی تحت زاویه مایل با استفاده از روش مونت کارلو
رشد نانوساختارها را در شبکه الماسی با روش مونت کارلو و تولید اعداد تصادفی شبیه سازی نمودیم. مرحله هسته بندی به صورت مثلثی و مربعی انجام شد و بر هم کنش ذرات با یکدیگر با پتانسیل لنارد-جونز محاسبه می شود. معیار شبیه سازی بخش حجمی ساختار نیز تعداد نزدیکترین همسایگی ها می باشد که در شبکه الماسی 4 تا فرض شده است. در پایان این پتانسیل را به پتانسیل سه ذره ای ترسف تغییر دادیم
شبیه سازی تاثیر دمای زیرلایه به کمک مدل منطقه ای ساختاری برای رشد نانوساختارهای نیکل به روش مونت کارلو جنبشی
در این مقاله مرحلههستهبندی و رشد حجمینانو ساختارهای نیکل لایه نشانی شده تحت زاویه مایل ˚75- ˚85 با استفاده از روش مونت کارلو جنبشی شبیه سازی شد. تاثیر دمای زیرلایه بر شکل، اندازه و نحوه توزیع ستون ها نیز بررسی گردید. با تعریف سد پتانسیل موضعی و انرژی حرارتی تصادفی، رشد نانوساختارهای نیکل در سه منطقه دمایی که در محدوده 45/0T/Tm< (که T دمای زی...
full textMy Resources
document type: thesis
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه الزهراء - دانشکده علوم پایه
Keywords
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023